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第三章 高频振荡电路的设计与制作 |
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振荡级用的晶体管放大器
图8所示的为实际所设计的哈特莱振荡电路。振荡电路的晶体管Trl为使用VHF频带放大用的2SC l906(日立)。图9所示的为2SC 1906的特性。fT(交流电流放大率hfe成为1的频率)为1000MHz,足适合使用。
此一振荡电路的工作原理点是由二个47KΩ与连接在射极的1.5kΩ电阻所决定的。在线圈与射极间为连接可变电阻,以调整反馈量,选择最稳定的振荡点。 |
| 图8 哈特莱振荡电路的设计(所使用的晶体管fT为1000MHz,为VHF频带(30M~300MHz)所使用将可变电容器使用电容器代替时,便成为基本的哈特莱电路。) |
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| 2SC1906最大极限参数值(Ta=25℃) |
| 参数 |
符号 |
额定值 |
单位 |
| 集电极-基极电压 |
VCBO |
30 |
V |
| 集电极-射极电压 |
VCEO |
19 |
V |
| 射极-基极电压 |
VEBO |
2 |
V |
| 集电极电流 |
IC |
50 |
mA |
| 射极电流 |
IE |
-50 |
mA |
| 集电极功率耗散 |
PC |
300 |
mW |
| 结温度 |
TJ |
150 |
℃ |
| 储藏温度 |
Psig |
-50~+150 |
℃ |
图9 VHF频带放大用晶体管2SC1906的特性[取自日立制作所的产品规格表] |
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| 2SC1906一般电性能指标参数(Ta=25℃) |
| 参数 |
记号 |
测试条件 |
min |
typ |
max |
单位 |
| 集电极-射极电压 |
V(BR)CBO |
Ic=10μA,IE=0 |
30 |
- |
- |
V |
| 集电极-射极电压 |
V(BR)CEC |
IC=3mA,RBE=∞ |
19 |
- |
- |
V |
| 射极-基极电压 |
V(BR)EBO |
IE=10μA,IC=0 |
2 |
- |
- |
V |
| 集电极截止电流 |
ICBO |
VCE=10V,IE=0 |
- |
- |
0.5 |
μA |
| 直流电流放大率 |
hFE |
VCE=10V,IC=10mA |
40 |
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- |
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| 放大率频带宽乘积 |
fr |
VCE=10V,IC=10mA |
600 |
1000 |
- |
MHz |
| 集电极输出电容 |
Cob |
VCB=10V,IE=0,f=1MHz |
- |
1.0 |
2.0 |
pF |
| 集电极-射极饱和电压 |
VCE(sat) |
Ic=20mA,IB=4mA |
- |
0.2 |
1.0 |
V |
| 基极时间常数 |
rbb.Cc |
VCE=10V,Ic=5mA,f=31.8MHz |
- |
10 |
25 |
ps |
| 功率放大增益系数 |
PG |
VCE=10V,Ic=5mA |
f=45MHz |
- |
33 |
- |
dB |
| f=200MHz |
- |
18 |
- |
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缓冲器用的晶体管放大器
如果将负载直接与振荡电路连接时,由于负载的变动,会影响到振荡频率。因此,经由缓冲放大器后再与负载连接。缓冲放大器为使用高输入阻抗的射随器。图l0所示的为缓冲放大器的电路设计。 |
(此为由晶体管所构成之射随器电路,放大率为l,输出阻抗为0Ω,因此,串联50Ω输出。)
信号可以从振荡电路取出,也可以从振荡电路的射极取出。从照片l可以看出,从射极取出信号的失真稍微大一些。 |
| 照片1 振荡电路的波形与射极端的波形不同(振荡电路的波形可以从晶体管的基极或射极取出;但是,从射极取出的波形失真较大。) |
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缓冲器的输入阻抗较高,因此,可以经由CR串联电路与振荡电路连接。由于射随器的输出阻抗较低,串联50Ω电阻后,其输出阻抗也约为50Ω而已。
LC
振荡器的制作
图11所示的为所制作的印刷电路基板图面。 |
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PCB PROTEL文件格式下载
(此PCB墨稿为1:1图,也可利用激光打印机直接出稿)
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线圈L为装入隔离盒内。由于不使用⑵,④,⑥端子,因此不连接。将隔离外壳焊接在接地图样。
频率调整用的可变电阻VR1为装设在基板上,由于所调整的为直流电压,因此,即使装设位置离基板远一些也没有影响。 |
| 图12 频率调整用可变电阻的配线(利用加在可变电容二极管上的直流电压,来改变LC振荡电路的C值,以改变频率。由于为直流电压,因此,装设位置离基板远一些,配线长一些也没有关系。) |
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